最近の活動

森川君、卒業おめでとう！

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卒論研究では「非磁性半導体InAs/強磁性半導体(Ga,Fe)Sb

ヘテロ接合の物性制御と整数・分数量子ホール効果の研究」。

非常に高いレベルの研究テーマにも関わらず良く挑戦して

素晴らしい成果を出してくれました。

修士課程においても良い研究成果を楽しみにしています。

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レ デゥック アイン (Le Duc Anh) 准教授が令和４(2022)年度・東京大学卓越研究員に選ばれました。
https://www.u-tokyo.ac.jp/focus/ja/articles/t_z1402_00012.html
卓越した若手研究者が自立して研究に取り組む環境を整えるためのスタートアップ支援を目的とした全学の「若手研究者自立支援制度（東京大学卓越研究員）」に基づくものです

Our recent work "Gate-controlled proximity magnetoresistance in In(1-x)Ga(x)As/(Ga,Fe)Sb bilayer heterostructures" has been published online in the 15 June 2022 issue of Physical Review B (Vol. 105, No. 23):
URL: https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.105.235202
DOI: 10.1103/PhysRevB.105.235202

Summary of the work:

The magnetic proximity effect (MPE), ferromagnetic coupling at the interface of magnetically dissimilar layers, attracts much attention as a promising pathway for introducing ferromagnetism into a high-mobility non-magnetic conducting channel. Recently, our group found giant proximity magnetoresistance (PMR), which is caused by MPE at an interface between a non-magnetic semiconductor InAs quantum well (QW) layer and a ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb layer. The MPE in the non-magnetic semiconductor can be modulated by applying a gate voltage and controlling the penetration of the electron wavefunction in the InAs QW into the neighboring insulating ferromagnetic (Ga,Fe)Sb layer. However, optimal conditions to obtain strong MPE at the InAs/(Ga,Fe)Sb interface have not been clarified. In this paper, we systematically investigate the PMR properties of In1-xGaxAs (x = 0%, 5%, 7.5%, and 10%) / (Ga,Fe)Sb bilayer semiconductor heterostructures under a wide range of gate voltage. Our experimental results and theoretical analysis of the PMR in these In1­−xGaxAs/(Ga,Fe)Sb heterostructures show that the MPE depends not only on the degree of penetration of the electron wavefunction into (Ga,Fe)Sb but also on the electron density. These findings help us to unveil the microscopic mechanism of MPE in semiconductor-based non-magnetic/ferromagnetic heterojunctions.

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レ デゥック アイン 准教授（電気系工学専攻、スピントロニクス学術連携研究教育センター）が、分子線エピタキシー国際会議 (International Conference on Molecular Beam Epitaxy, ICMBE 2022) において、 Young Investigator MBE Award を受賞しました。
受賞理由は、「MBE growth, physics and devices of new Fe-based III-V ferromagnetic semiconductors for semiconductor spintronics and topological quantum electronics」
https://iop.eventsair.com/icmbe2022/awards

堀田智貴さん（電気系工学専攻博士課程1年、田中研究室）が分子線エピタキシー国際会議で口頭講演した下記の内容により、Outstanding Student MBE Awardを受賞しました。おめでとうございます！
T. Hotta, K. Takase, K. Takiguchi, K. Sriharsha, L. D. Anh, and M. Tanaka
“Quaternary-alloy ferromagnetic semiconductor (In,Ga,Fe)Sb”
21st International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Virtual Conference, Mexico, September 6-9, 2021.

​本成果はアイン准教授との共同研究で行われました。

アイン研が正式に発足されます。

電電の森川諒君が、卒業研究のためにアイン研に配属されました。ようこそ、森川くん！

Anh Labの研究提案が、UTEC-UTokyo FSI助成金に採択されました。超電導/強磁性半導体ハイブリッド構造の研究のために、2年間で2,000万円の資金が提供されます。感謝を申し上げます！

学部生（電気電子工学科、電子情報工学科）と大学院生の両方の熱心な学生を募集しています。私たちの研究に参加したければ気軽にお問合せください。