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研究環境

アイン研は同学科の田中研究室・大矢研究室と密接に連携し研究を推進します。

他に東京大学の低温科学研究センター、ナノテクノロジープラットフォームの共用施設を利用でき、世界最先端の研究を行う環境が整っています。

EQ2100.jpg

III-V族用分子線エピタキシー
結晶成長装置(EQ2100)

底面圧:1×10 ^ -10Torr

ソース:

III族元素:Ga、Al、In(Kセル)
ドーパント:Si、Be(Kセル)
遷移元素、磁性材料用:Mn、Fe
V族元素:As(バルブドクラッカーセル500 cc)
      Sb(バルブ付きクラッカーセル420cc)

その場観察:反射高速電子線回折(RHEED)

※田中研究室との共同研究により使用。

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Dirac材料用分子線
エピタキシー結晶成長装置(MBE508)

底面圧:1×10 ^ -10Torr

 

ソース:

III族元素:Ga、Al、In(Kセル)
ドーパント:Si、Be(Kセル)
遷移元素、磁性材料用:Mn、Fe
V族元素:As(バルブドクラッカーセル500 cc)
      Sb(Kセル)

その場観察:反射高速電子線回折(RHEED)

※田中研究室との共同研究により使用。

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M_edited.jpg

金属材料用
低温分子線エピタキシー結晶成長装置(システムM)

底面圧:1×10 ^ -9Torr

基板は液体窒素を使用して冷却可能。

◆MBEチャンバー(4ポート):Fe、Al、Sn
◆電子ビーム蒸着チャンバー(3ポケット):SiO2、Nb、EuS

シャドーマスクの成長に利用可能 

磁気円二色性測定装置(MCD) JASCO J700

磁気電気伝導測定装置

(3システム)

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340.jpg

◆光検出器:GaAs、S1光電子増倍管(波長範囲0.2〜1.1μm)

◆磁場範囲:〜1.2T

◆温度範囲:4.5K〜室温

◆磁界範囲:〜1T

◆温度範囲:3.5K〜室温

◆モーター駆動の磁石回転システム

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Picture1.png

オックスフォード製超電導マグネット電気伝導測定装置

無冷媒式

磁界範囲:0〜12T

温度範囲:295mK〜室温

​He3インサート付き

磁気特性測定システム(MPMS3)

(低温科学研究センターの一般利用装置)

MPMS3.jpg

磁界範囲:0〜7T

温度範囲:1.5K〜室温

電子スピン共鳴(ESR)システム

(東京大学ナノテクノロジープラットフォーム

の一般利用装置)

ナノデバイス室

(電気系工学専攻の共同利用施設)

武田スーパークリーンルーム

(東京大学ナノテクノロジープラットフォームの施設)

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