東京大学 工学系研究科 電気系工学専攻
トポロジカル量子エレクトロニクス研究室
研究環境
アイン研は同学科の田中研究室・大矢研究室と密接に連携し研究を推進します。
他に東京大学の低温科学研究センター、ナノテクノロジープラットフォームの共用施設を利用でき、世界最先端の研究を行う環境が整っています。
III-V族用分子線エピタキシー
結晶成長装置(EQ2100)
底面圧:1×10 ^ -10Torr
ソース:
III族元素:Ga、Al、In(Kセル)
ドーパント:Si、Be(Kセル)
遷移元素、磁性材料用:Mn、Fe
V族元素:As(バルブドクラッカーセル500 cc)
Sb(バルブ付きクラッカーセル420cc)
その場観察:反射高速電子線回折(RHEED)
※田中研究室との共同研究により使用。
Dirac材料用分子線
エピタキシー結晶成長装置(MBE508)
底面圧:1×10 ^ -10Torr
ソース:
III族元素:Ga、Al、In(Kセル)
ドーパント:Si、Be(Kセル)
遷移元素、磁性材料用:Mn、Fe
V族元素:As(バルブドクラッカーセル500 cc)
Sb(Kセル)
その場観察:反射高速電子線回折(RHEED)
※田中研究室との共同研究により使用。
金属材料用
低温分子線エピタキシー結晶成長装置(システムM)
底面圧:1×10 ^ -9Torr
基板は液体窒素を使用して冷却可能。
◆MBEチャンバー(4ポート):Fe、Al、Sn
◆電子ビーム蒸着チャンバー(3ポケット):SiO2、Nb、EuS
シャドーマスクの成長に利用可能
磁気円二色性測定装置(MCD) JASCO J700
磁気電気伝導測定装置
(3システム)
◆光検出器:GaAs、S1光電子増倍管(波長範囲0.2〜1.1μm)
◆磁場範囲:〜1.2T
◆温度範囲:4.5K〜室温
◆磁界範囲:〜1T
◆温度範囲:3.5K〜室温
◆モーター駆動の磁石回転システム
オックスフォード製超電導マグネット電気伝導測定装置
無冷媒式
磁界範囲:0〜12T
温度範囲:295mK〜室温
He3インサート付き
磁気特性測定システム(MPMS3)
(低温科学研究センターの一般利用装置)
磁界範囲:0〜7T
温度範囲:1.5K〜室温
電子スピン共鳴(ESR)システム
(東京大学ナノテクノロジープラットフォーム
の一般利用装置)
ナノデバイス室
(電気系工学専攻の共同利用施設)
武田スーパークリーンルーム
(東京大学ナノテクノロジープラットフォームの施設)